L'obiettivo generale di questo progetto, accettato per il finanziamento nell'ambito dell'impresa comune ECSEL, è la realizzazione del primo impianto pilota per linee pilota di carburo di carburo siliciu carburo (SiC) da 200 mm dedicato alla tecnologia energetica. Ciò consentirà all'industria europea di diventare un parametro di riferimento globale in grado di fornire soluzioni innovative e competitive alle sfide fondamentali della società, quali il risparmio energetico e la riduzione delle emissioni di CO2 (accordo COP21), nonché la sostenibilità ambientale attraverso la mobilità elettrica, l'efficienza di conversione dell'energia e la produzione intelligente. Il presente progetto si impegna a conseguire i seguenti obiettivi: Sviluppare e dimostrare il funzionamento del primo impianto di produzione SiC avanzato di 200 mm al mondo affrontando capacità multiple/cross-reverse. Questo progetto di capacità trasversale sfrutta la presenza di tutti gli attori lungo la sua catena del valore e crea la massa critica appropriata per promuovere l'innovazione vitale che contribuirà agli obiettivi generali di ECSEL. La strategia per la linea pilota del SiC da 8" consentirà: • sviluppo del substrato 8"SiC • sviluppo di apparecchiature 8" SiC • sviluppo di diodi, MOSFET planari e Power Rigs (Trench Power) da 6"dispositivi e processi a 8" • sviluppo di attrezzature avanzate e speciali per la lavorazione 8 SiC, sfruttando le attrezzature già esistenti dalla linea di produzione Silicium alle dimensioni di 200 mm. • l'applicazione di tali tecnologie SiC costituirà un fattore di sviluppo per l'efficienza energetica globale e la riduzione delle emissioni di CO2, in linea con il piano d'azione globale COP21. • I risultati della linea pilota 8" saranno estremamente importanti in futuro per determinare le decisioni strategiche relative alla creazione di una linea di produzione su larga scala per dispositivi di alimentazione SiC (ad esempio dispositivi elettrici intelligenti ad alta complessità e dispositivi di alimentazione). • I manifestanti testeranno infine i risultati nel campo dell'energia intelligente e della mobilità La linea pilota si baserà su tre pilastri principali: I) Continua innovazione tecnologica dei dispositivi di alimentazione SiC che soddisfano la crescente domanda di applicazioni di mercato; II) la politica industriale si è concentrata sulla riduzione e l'ottimizzazione dei costi di produzione di alta qualità e di massa del SiC; III) Preparazione per futuri aggiornamenti di wafer da 8" su tecnologie dirompenti "Più di Moore" (ad esempio produzione avanzata di SiC, ora 150 mm). Caratteristiche target della prima linea pilota 8 SiC: La 200 mm SiC Pilot Line sarà ubicata nello stabilimento ST wafer di Catania (Italia) e condividerà gli impianti con quello attualmente in uso. Ci saranno attività molto difficili per quanto riguarda l'assemblaggio e l'adattamento dei problemi dovuti al fatto che la nuova