O objetivo geral deste projeto, aceite para financiamento no âmbito da Empresa Comum ECSEL, é a realização da primeira linha-piloto de carboneto de silicio (SiC) de 200 mm dedicada à tecnologia de energia. Tal permitirá à indústria europeia tornar-se um parâmetro de referência mundial capaz de fornecer soluções inovadoras e competitivas para desafios societais críticos, como a poupança de energia e a redução das emissões de CO2 (acordo COP 21), bem como a sustentabilidade ambiental através da mobilidade elétrica, da eficiência da conversão de energia e da produção inteligente. Este projeto está empenhado em atingir os seguintes objetivos: Desenvolver e demonstrar o funcionamento da primeira unidade de produção avançada de SiC de 200 mm do mundo, abordando as capacidades múltiplas/transversais. Este projeto transversal de capacidades explora a presença de todos os intervenientes ao longo da sua cadeia de valor e cria a massa crítica adequada para promover a inovação vital que contribuirá para os objetivos gerais da ECSEL. A estratégia da linha-piloto SiC de 8" permitirá: • desenvolvimento de 8 «substratos SiC • desenvolvimento de 8» equipamentos SiC • desenvolvimento de díodos, MOSFET planares e equipamentos de potência (potência de trincheira) a partir de 6 «dispositivos e processos até 8» • desenvolvimento de equipamentos avançados e especiais para o processamento de 8 SiC, tirando partido do equipamento já existente da linha de produção de Silicium com uma dimensão de disco de 200 mm. • a aplicação dessas tecnologias de SiC será um factor de desenvolvimento para a eficiência energética e a redução das emissões de CO2 a nível mundial, em conformidade com o Plano de Acção Global COP21. • Os resultados da linha-piloto de 8" serão extremamente importantes no futuro para determinar as decisões estratégicas relativas à criação de uma linha de produção em grande escala para dispositivos de potência SiC (por exemplo, dispositivos de potência inteligentes de alta complexidade e dispositivos de potência). • Os demonstradores testarão finalmente os resultados no domínio da energia inteligente e da mobilidade. A linha-piloto basear-se-á em três pilares principais: I) Inovação tecnológica contínua dos dispositivos de potência SiC que satisfaçam a procura crescente das aplicações do mercado; II) A política industrial centrada na redução e optimização do custo da produção em massa e de alta qualidade de SiC; III) Preparando-se para futuras atualizações de 8 "wafers em tecnologias disruptivas "Mais do que Moore" (por exemplo, fabricação avançada de SiC, agora 150 mm). Características-alvo da primeira linha piloto de 8 SiC: A Linha Piloto SiC de 200 mm estará localizada na fábrica de bolachas ST em Catânia (Itália) e partilhará as instalações com a atualmente em uso. Haverá atividades muito difíceis em termos de montagem e adaptação de problemas devido ao facto de a nova c