Os componentes eletrónicos utilizados para aplicações espaciais a bordo são sujeitos a radiação cósmica que pode torná-los inoperantes. O projeto FemtoGaN está a desenvolver uma nova técnica para testar a radiação de excitação laser de femtossegundos de componentes eletrónicos com base em materiais GaN e SiC para aplicações espaciais a bordo. Ao contrário dos dispositivos à base de silício, onde estes estudos têm sido realizados há mais de 30 anos, os bancos de teste e protocolos associados para componentes GaN e SiC ainda são muito raros, apesar do rápido crescimento do mercado de componentes de energia e microondas usando esta nova cadeia de materiais. O projeto FemtoGaN combina a experiência complementar do laboratório LPCNO e da PME TRAD. Os resultados dos ensaios a laser serão comparados com campanhas de irradiação iónica pesadas realizadas nos mesmos componentes e acopladas a simulações 3D. As soluções técnicas e o know-how adquiridos no final destes 3 anos de estudo permitirão à TRAD instalar nas suas instalações em Labège (31) um novo banco de ensaio dedicado a este novo setor de componentes e vender os serviços associados aos seus clientes franceses e internacionais. Estes testes a laser permitirão aos clientes da TRAD (i) selecionar os componentes comerciais menos sensíveis à radiação e (ii) desenvolver componentes novos e mais robustos com geometrias e estruturas otimizadas.